INFICON XTC/3 Thin Film Deposition Controller Operating Manual - Handbuch (Seite 217)

A - 7
IP
N 07
4-
44
6-
P5
A
XTC/3 Gebrauchsanleitung
SiO 2.130 0.870 Silizium(II)oxid
SiO
2
2.648 1.000 Siliziumdioxid
Sm 7.540 0.890 Samarium
Sm
2
O
3
7.430 *1.000 Samariumoxid
Sn 7.300 0.724 Zinn
SnO
2
6.950 *1.000 Zinnoxid
SnS 5.080 *1.000 Zinnsulfid
SnSe 6.180 *1.000 Zinnselenid
SnTe 6.440 *1.000 Zinntellurid
Sr 2.600 *1.000 Strontium
SrF
2
4.277 0.727 Strontium Fluroide
SrO 4.990 0.517 Strontiumoxid
Ta 16.600 0.262 Tantal
Ta
2
O
5
8.200 0.300 Tantal(V)oxid
TaB
2
11.150 *1.000 Tantalborid
TaC 13.900 *1.000 Tantalkarbid
TaN 16.300 *1.000 Tantalnitrid
Tb 8.270 0.660 Terbium
Tc 11.500 *1.000 Technetium
Te 6.250 0.900 Tellurium
TeO
2
5.990 0.862 Telluriumoxid
Th 11.694 0.484 Thorium
ThF
4
6.320 *1.000 Thorium.(IV)fluorid
ThO
2
9.860 0.284 Thoriumdioxid
ThOF
2
9.100 *1.000 Thoriumoxyfluorid
Ti 4.500 0.628 Titan
Ti
2
0
3
4.600 *1.000 Titansesquioxid
TiB
2
4.500 *1.000 Titanborid
TiC 4.930 *1.000 Titankarbid
TiN 5.430 *1.000 Titannitrid
TiO 4.900 *1.000 Titanoxid
TiO
2
4.260 0.400 Titan(IV)oxid
TI 11.850 1.550 Thallium
Tabelle A-1 Materialtabelle (fortgesetzt)
Formel Dichte Z-Ratio Materialbezeichnung